STUDI PARAMETER PADA DIODA P-N

Abstract

Operasi divais semikonduktor bisa diprediksi secara teliti dengan memakai perhitungan. Rumus-rumus perhitungan yang digunakan relatif sederhana. Solusinya bisa didapatkan dengan menggunakan persamaan Poisson atau model transportasi difusi drif. Untuk mengerti mekanisme dari operasi divais, simulasi perhitungan merupakan cara yang paling cepat. Sementara, struktur dasar dari divais semikonduktor adalah sambungan p-n. Oleh karena itu, tujuan dari tulisan ini adalah untuk menganalisa secara kuantitatif apakah yang terjadi di dalam sambungan p-n ketika parameter-parameter seperti suhu, konsentrasi doping dan tegangan bias diubah-ubah. Efek dari parameter-parameter tersebut telah dihitung. Hasilnya menunjukkan bahwa potensial elektrostatis, medan listrik dan lebar deplesi paling dipengaruhi oleh konsentrasi doping dan tegangan bias.