PENGARUH KETEBALAN LAPISAN ISOLATOR SiO2 TERHADAP MOBILITAS LUBANG DARI TRANSISTOR EFEK MEDAN ORGANIK PENTACENE

Abstract

Saat ini, riset tentang divais elektronik yang memakai bahan organik banyak dilakukan. Divais elektronik organik memiliki banyak  kelebihan dibandingkan dengan divais elektronik silikon seperti kelenturan dan lain-lain. Untuk kali ini, akan dijelaskan pengaruh ketebalan lapisan isolator gerbang (G) SiO2  terhadap karakteristik transfer (ID-VG) dan karakteristik penguatan (ID-VD) dari  transistor efek medan organik yang telah difabrikasi. Pertama, lapisan isolator SiO2  ditumbuhkan dengan menggunakan metode oksidasi termal dengan ketebalan 100 nm - 500 nm. Selanjutnya, sebagai bahan semikonduktor organik, pentacene dideposisikan dengan ketebalan 50 nm pada suhu ruang dengan metode evaporasi termal pada kevakuman 8×10-6 Torr. Terakhir, terminal source dan drain dibentuk dari emas dengan metode evaporasi termal dengan ketebalan 30 nm. Panjang kanal dan lebar kanal dari transistor masing-masing adalah 200  µm dan 500  µm. Hasil pengukuran karakteristik ID-VD menunjukkan bahwa mobilitas lubang meningkat dari 0.03 cm2/(Vs) ke 0.1 cm2/(Vs) seiring berkurangnya ketebalan SiO2 dari 500 nm ke 100 nm.  Kata kunci: pentacene, semikonduktor, organik, elektronika, transistor film tipis